近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

半導體是電子信息產業的基石，是國家命脈產業。物聯網、新能源、新基建等新興戰略產業嚴重依賴半導體產業。半導體材料制備則是半導體制造過程中的關鍵環節。第三代半導體材料是新一代信息技術核心競爭力的重要支撐。期間，”碳化硅襯底與外延“論壇上，哈爾濱工業大學化工與化學學院教授, 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司董事長趙麗麗做了題為“低成本碳化硅單晶材料產業化技術研究”的主題報告，分享了最新研究成果。

 

碳化硅晶體材料制備涉及設備、技術、質量、成本等多方面的問題與挑戰。晶體材料制備還面臨一些問題。比如晶體材料制備條件極為苛刻，對設備要求極高，缺乏設計，制造能力的積累。晶體生長需要高溫，甚至達2300℃，無法實現有效、直觀檢測，難以優化反饋。成本高昂，生長周期長，傳統’試錯式”，“暗箱式”技術改進成本高，耗時長，效率低。屬新興戰略行業、材料、裝備和技術受發達國家禁運管控，國外大廠壟斷。

 

報告指出，面向半導體晶體材料制備及高端設備自主研制的迫切需求，研究了應用全過程、全動態的數值模擬，可視化復雜反應，多相工藝過程。建立模型、精準揭示晶體生長參數、設備環境，工藝過程之間相互作用。解析PVT法晶體材料的制備過程，解決碳化硅、氮化鋁等材料制備效率，界面調控等難題。報告還具體介紹了缺陷控制解決辦法、成本控制等內容。
 

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）