2025年4月9日，南智光電正式發布國內首個硅基薄膜鉭酸鋰光子芯片PDK：IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0，并同步開放該材料平臺的光電芯片流片服務。繼昨日發布兩款鈮酸鋰光子芯片與MEMS芯片PDK引發業內廣泛關注后，南智光電再度以技術創新打出“連擊”，進一步完善了“薄膜鈮酸鋰+X”光電異質集成技術體系。
薄膜鉭酸鋰在光電子芯片領域展現出獨特競爭力：其具備與薄膜鈮酸鋰近的高電光系數（約30 pm/V），支持超高速電光調制器和寬帶光信號處理；同時，其熱膨脹系數與硅基襯底更接近，結合優異的溫度穩定性，顯著降低熱應力引發的器件形變或失效風險；更高的光損傷閾值則使其在高功率激光調制、強光場非線性光學（如量子糾纏光源）及超快激光系統中更具可靠性。目前，薄膜鉭酸鋰可應用于高速光互連及多光譜集成傳感等領域，已成為下一代高性能光電子集成的核心材料候選。
IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0示意圖
本次發布的PDK包含光波導、電光調制器、MMI分束器、端面耦合器等核心器件。其中光波導傳輸損耗低于0.6dB/cm，電光調制器帶寬可達50GHz以上。
薄膜鉭酸鋰波導與電光調制器帶寬測試結果
本次連續發布多款PDK，充分展示了南智光電在光電子產業領域持續的技術創新能力。南智光電平臺始終堅持技術中立、開放賦能的原則，致力于為產業生態合作伙伴提供標準化、定制化的小批量研發和流片服務。此次推出的硅基薄膜鉭酸鋰PDK，將有效覆蓋當前光通信、光傳感、人工智能等熱門領域，助力行業伙伴快速實現技術迭代與產品上市。 （來源：南智光電）
