近日，以“創芯生態 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

期間，“氮化鎵功率器件”專場上，加拿大多倫多大學教授吳偉東做了題為”用于GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅動器“的主題報告，與硅功率MOSFET相比，GaN功率HEMT具有高開關速度、低導通電阻和更好的FOM。在更小的外形尺寸中以高功率密度運行的能力為可靠和穩健的運行帶來了新的挑戰。用于硅基功率器件的傳統柵極驅動器設計適用于對柵極電壓擺幅具有較大容差的較低頻率。它們沒有充分解決GaN功率晶體管特有的一些可靠性問題。報告回顧了GaN功率HEMT的柵極驅動要求和限制。討論了使用精確定時和死區時間校正技術的動態柵極驅動，以充分利用GaN功率器件的性能。此外，還討論了由于GaN功率模塊中的管芯放置要求相互沖突而導致的電氣和熱性能之間的權衡。并介紹使用直接鍵合方法的液冷智能GaN功率模塊作為可能的解決方案。

 

吳偉東，加拿大多倫多大學電子與計算機工程學部教授，其研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝，尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發。1990年獲得多倫多大學的博士學位后，吳教授加入德州儀器公司，開發適用于汽車應用的功率晶體管。1992年吳教授加入香港大學開始學術研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學，組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊，他于1998年和2008年分別晉升為副教授和正教授，他擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發與改進的豐富閱歷。吳教授是多倫多納米制造中心主任和多倫多大學開發獲取研究中心主任。吳教授自2009年起擔任IEEE電子器件快報的副主編。

 

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