近日，以“創芯生態 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。

 

大尺寸、低成本，與現有Si集成電路制備工藝兼容是降低GaN功率電子器件制造成本的有效途徑，Si基GaN向著大尺寸、厚膜化、低缺陷密度方向發展。期間，“氮化鎵功率器件“專場上，北京大學物理學院高級工程師楊學林做了題為”Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究“的主題報告，從Si襯底上GaN厚膜外延生長，Si襯底上GaN基準垂直結構功率器件研制，Si襯底上GaN基MEMS器件研制的角度，結合具體的研究過程與數據，分享了研究成果。

 

研究結果顯示，在Si襯底上實現高質量的GaN連續厚膜，在Si襯底上實現高遷移率GaN材料，并實現準垂直結構SBD。在Si襯底上研制成功高性能的GaN基MEMS器件。

 

楊學林，北京大學物理學院高級工程師，國家優秀青年科學基金獲得者。先后在吉林大學和北京大學獲學士和博士學位，東京大學博士后。近年來在Si襯底上GaN基材料的MOCVD外延生長、C雜質的摻雜調控、缺陷影響電子器件可靠性的機理研究等方面取得了多項進展。迄今在PRL、AFM、APL等期刊上共發表SCI論文70多篇，在本領域國內外學術會議上做邀請報告10多次，申請/授權國家發明專利10多件。

 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）