近日，第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）聯合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業網共同承辦。
期間，由蘇州能訊高能半導體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司共同協辦支持的”射頻電子器件與應用論壇“上，中國科學院半導體研究所副研究員張連做了題為“亞毫米波段GaN基HEMT與選區外延技術研究”的主題報告。
報告指出，最大振蕩頻率300 GHz以上GaN基HEMT常以超薄(In)AlN勢壘層抑制短溝道效應，并常采用源漏極選區外延重摻雜n+-GaN來減小寄生電阻。本論文面向高性能亞毫米波段GaN基HEMT，研究了MOCVD選區外延生長條件和氣流模型，揭示了生長厚度、電子遷移率以及有效摻雜濃度之間的關系。InAlN/GaN HEMT的源漏極選區生長n+-GaN材料同時實現了電子濃度5.2×1019 cm-3，電子遷移率138 cm2/V·s，處于國際報道的最好水平之一。InAlN/GaN HEMT金半接觸電阻率低至0.04 Ω·mm，GaN與2DEG接觸電阻率為0.09 Ω·mm，導通電阻Ron為0.75 Ω·mm。
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