期間，由北京一徑科技有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司協辦支持的“車用半導體創新合作峰會“如期舉行。會上，上海瞻芯電子科技有限公司應用工程師楊義帶來了題為”SiC MOSFET多管并聯均流驅動技術探討“的主題報告，報告結合多管并聯測試條件，詳細分享了SiC單管并聯開通過程均流影響因子分析、IVCR1412 SiC專用驅動和傳統并聯驅動方案均流對比分析、功率器件并聯功率回路雜散電感影響與結溫對均流的影響等內容。

 

報告指出，SiC功率器件的Vth、Rds(on)、Cgs、Cgd 和柵極電阻不一致都會對并聯產生負面影響，使用傳統驅動方式時，盡量挑選一致器件并聯使用。使用IVCR1412驅動SiC并聯，能容忍更大的Vth偏差，?Vth=0.6V未出現不均流情況。

使用傳統驅動SiC并聯，驅動回路和功率回路電感的差異對均流影響較大，在功率器件參數一致情況下，可能出現電流不均流嚴重的情況。使用IVCR1412能減弱功率回路對驅動回路耦合，減弱漏感失配導致不均流惡化的情況。在SiC器件多管并聯應用中，應盡量做到器件一致、結構對稱、雜散優化。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）