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西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果:基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN HEMTs

日期:2021-12-22 閱讀:589
核心提示:目前,p-GaN帽層技術(shù)是實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN基高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)的主流商用技術(shù),但Mg摻雜
目前,p-GaN帽層技術(shù)是實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型GaN基高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)的主流商用技術(shù),但Mg摻雜難激活以及刻蝕損傷等因素限制了器件性能的進(jìn)一步提升,因此高性能、低成本的增強(qiáng)型帽層技術(shù)具有重要的研究意義。
 
近日,西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成教授等人在SCIENCE CHINA Materials發(fā)表研究論文,采用p型氧化亞錫(p-SnO)代替p-GaN作為柵帽層引入AlGaN/GaN HEMT,并通過(guò)Silvaco器件仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證兩方面系統(tǒng)研究了器件的電學(xué)性能。
 
仿真結(jié)果顯示,通過(guò)簡(jiǎn)單改變p-SnO的厚度(50-200 nm)或摻雜濃度(3 × 1017-3 × 1018 cm?3),可以實(shí)現(xiàn)器件閾值電壓在0-10 V范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),同時(shí)器件的漏極電流密度超過(guò)120 mA mm?1,柵擊穿和器件擊穿電壓分別達(dá)到7.5和2470 V。
在此基礎(chǔ)上,制備了基于磁控濺射p-SnO帽層的AlGaN/GaN HEMT,未經(jīng)優(yōu)化的器件測(cè)得了1 V的閾值電壓、4.2 V的柵擊穿電壓和420 V的器件擊穿電壓,證實(shí)了p-SnO薄膜作為增強(qiáng)型GaN基HEMT柵帽層的應(yīng)用潛力,為進(jìn)一步提升增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT性能,同時(shí)降低成本奠定了基礎(chǔ)。
 
文章信息
 
Dazheng Chen, Peng Yuan, Shenglei Zhao, et al. Wide-range-adjusted threshold voltages for E-mode AlGaN/GaN HEMT with a p-SnO cap gate. SCIENCE CHINA Materials, https://doi.org/10.1007/s40843-021-1838-3
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