資料顯示，天岳先進成立于2010年，主營業務是寬禁帶半導體（第三代半導體）碳化硅襯底材料的研發、生產和銷售，產品可應用于微波電子、電力電子等領域，主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底。目前，其6英寸半絕緣型和6英寸導電型襯底已形成小批量銷售。

 

自成立以來，天岳先進完成了多輪股權轉讓和增資，投資方包括國開行、中車時代、中微公司、深創投、先進制造產業投資基金二期等投資機構和A股上市公司等，此外，近年來在半導體領域全面布局的華為也是其股東之一。

 

科創板上市公告書顯示，本次發行前，華為旗下投資平臺哈勃科技對天岳先進持股7.0493%的股權，發行后持股比例將有所下降，為6.3444%。值得一提的是，天岳先進還是哈勃科技布局第三代半導體領域投資的第一家企業。

 

近年來，天岳先進營業收入實現持續增長，2018年至2020年，營業收入由2018年的1.36億元增長至2020年的4.25億元，年均復合增長率達76.65%。此外，2018-2021年1-6月，歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-4,213.96萬元、-2.01億元、-6.42億元、4,790.8萬元，公司在2021年1-6月已實現盈利。

 

天岳先進預測，2021年全年可實現營業收入為4.65億元至5.05億元，較2020年增長9.46%至18.88%；歸屬于母公司股東凈利潤為6500萬元至1.05億元。

 

申報稿顯示，天岳先進原計劃募集資金20億元，扣除發行費用后將投資碳化硅半導體材料項目。不過，科創板上市公告書顯示，天岳先進此次實際募集資金總額為35.58億元，募集資金凈額為32.03億元。

 

據悉，天岳先進計劃在上海臨港新片區建設碳化硅襯底生產基地，滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。目前，該項目已被上海市發改委列入《2021年上海市重大建設項目清單》。

 

根據規劃，天岳先進碳化硅半導體材料項目建設期為6年，自2020年10月開始前期準備進行工廠研究、設計，計劃于2022年試生產，預計2026年100%達產。