近日，湖北省武漢市人民政府辦公廳發布《關于促進半導體產業創新發展的意見》（以下簡稱“《意見》”）。
△Source：武漢市人民政府網站截圖
《意見》提到，到2025年，芯片產業產值超過1200億元，半導體顯示產業產值超過1000億元，第三代半導體產業初具規模。同時培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業、5家銷售收入超過100億元的半導體顯示企業、5家銷售收入超過10億元的半導體設備與材料企業，半導體企業總數超過500家，上市企業新增3—5家。《意見》中還明確了多項重點任務，包括瞄準薄弱環節補鏈、立足現有基礎強鏈、聚焦熱點領域延鏈、以及圍繞前沿領域建鏈等。
（一）瞄準薄弱環節補鏈
增強集成電路設備、材料和封測配套能力。在設備環節，聚焦三維集成特色工藝，研發刻蝕、沉積和封裝設備，引入化學機械研磨（CMP）機、離子注入機等國產設備生產項目；在材料環節，圍繞先進存儲器工藝，開發拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目；在封測環節，引進和培育國內外封裝測試領軍企業，突破先進存儲器封裝工藝，推進多芯片模塊、芯片級封裝、系統級封裝等先進封裝技術產業化。
加快半導體顯示設備和材料國產化替代。在設備環節，聚焦有機發光二極管（OLED）中小尺寸面板工藝，研發光學檢測、模組自動化設備，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜制備等國產設備生產項目；在材料環節，支持液晶玻璃基板生產項目建設，加快OLED發光材料、柔性基板材料的研發及產業化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產材料生產項目。
布局第三代半導體襯底及外延制備。在設備環節，支持物理氣相傳輸法（PVT）設備、金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝設備的研發及產業化；在材料環節，引進碳化硅（SiC）襯底、SiC外延、氮化鎵（GaN）襯底生產線，布局GaN外延晶片產線。
（二）立足現有基礎強鏈
打造存儲、光電芯片產業高地。在存儲芯片領域，重點引入控制器芯片和模組開發等產業鏈配套企業，研發超高層數三維閃存芯片、40納米以下代碼型閃存、動態隨機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進存儲芯片；在光電芯片領域，支持25G以上光收發芯片、50G以上相干光通信芯片的研發及產業化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。
建設國內重要半導體顯示產業基地。在顯示面板領域，引進大尺寸OLED、量子點顯示、亞毫米發光二極管（MiniLED）顯示等面板生產項目，布局微米級發光二極管（MicroLED）顯示、激光顯示、8K超高清、3D顯示等未來顯示技術研發及產業化；在顯示模組領域，支持全面屏、柔性屏模組的研發及產業化，加快開發高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產項目，逐步提升對中高端面板的產業配套能力。
（三）聚焦熱點領域延鏈
通信射頻芯片。支持5G絕緣襯底上硅（SOI）架構射頻芯片、射頻電子設計自動化（EDA）軟件研發；面向5G基站、核心網、接入網等基礎設施市場，重點發展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關鍵芯片。
通用邏輯芯片。加快圖形處理器（GPU）、顯控芯片的開發及應用，提升知識產權（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能芯片等邏輯芯片的設計支撐能力，布局信創領域處理器項目。
北斗導航芯片。支持研發北斗三號系統的新一代導航芯片、28納米高精度消費類北斗導航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統級芯片；面向交通、物流、農業、城市管理等領域開發通導一體化北斗芯片，拓展北斗應用。
車規級芯片。推進數字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規級芯片研發及產業化項目；面向新能源汽車，布局動力系統、主被動安全系統、娛樂信息系統、車內網絡、照明系統車規級芯片產業化項目。
（四）圍繞前沿領域建鏈
第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等3個應用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶體管、氮化鎵（GaN）充電模塊、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件項目；支持中高壓SiC功率模塊、GaN 5G射頻開關、紫外LED的研發及產業化，突破SiC絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED關鍵技術。
量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發及產業化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產項目；開展量子通信、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算芯片共性前沿技術攻關。
