2021年5月，吉利攜手芯聚能、芯合科技合資成立芯粵能，布局SiC芯片制造。

 

2021年11月，北汽投資參投瞻芯電子，加碼SiC MOSFET。

 

2021年12月，長城汽車入股同光股份，投資SiC襯底材料。

 

2022年1月5日，上汽、廣汽及小鵬等車企出現在天岳先進IPO戰略配售名單中出現。

 

2022年1月20日，廣汽旗下子公司廣汽零部件與株洲中車時代合資設立廣州青藍半導體有限公司，圍繞新能源汽車自主IGBT開展技術研發和產業化應用。

 

目前國內相對高端的功率半導體器件主要依賴進口，汽車產業鏈對此依賴程度尤為突出。

 

據悉，自2001年以來，SiC二極管、SiC-BJT、SiC-MOSFET及GaN-HEMT等寬禁帶的第三代半導體產品相繼開發成功并量產。第三代半導體功率產品的主要特點是禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、抗輻射能力強、發光效率高、頻率高，可廣泛用于通訊、汽車、航空航天等高功率領域。

 

同時，IGBT等功率半導體器件是充電樁電源模塊必不可少的部分。隨著新能源汽車的普及，電動車充電樁需求提升也將帶動功率半導體需求增長。

 

為了加速發展國內半導體行業，在政策方面，國務院于2020年8月印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》從財稅、投融資、研究開發等全面支持半導體行業的發展。

 

在資金層面，國家集成電路產業基金(簡稱大基金)一期、 二期也先后于2014年、2019年成立，其中大基金一期募資金額1387億元，大基金二期注冊資本2041.5億元。在大基金及其所撬動的社會資本的投資帶動下，包括 IGBT在內的集成電路產業取得了良好發展。

 

首創證券認為，“車企積極入局，也加速了IGBT和SiC等功率半導體國產化。新能源汽車是未來IGBT和SiC最大的下游應用領域。半導體技術的迭代和發展離不開下游應用領域的快速發展。新能源汽車作為下游新興應用領域，國內企業與海外品牌相對而言站上了同一起跑線，在下游車企的大力支持下，我國功率半導體廠商有望加速實現國產化替代。”