根據資料顯示，該光刻機可滿足0.8μm（800nm）分辨率光刻工藝需求，極限分辨率可達0.6μm（600nm）；通過升級運動、量測和控制系統，套刻精度提升至≤100nm，并能保持長期穩定性。當時推出的新品光刻機主要應用于高密度異構集成領域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光視場等特點，可幫助晶圓級先進封裝企業實現多芯片高密度互連封裝技術的應用，滿足異構集成超大芯片封裝尺寸的應用需求，同時將助力封裝測試廠商提升工藝水平、開拓新的工藝，在封裝測試領域共同為中國集成電路產業的發展做出更多的貢獻。上海微電子曾表示，當時已與多家客戶達成新一代先進封裝光刻機銷售協議，首臺將于年內交付。