晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦，坐落于蘇州市工業園區，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地，致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商，技術實力處于國際領先地位。

 

　　據了解，晶湛半導體在發展過程中，在業內創造過多項第一。2014年底，晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，填補了國內氮化鎵產業的空白。2021年9月，晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業內廣泛關注。經過多年的專注發展，晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發和產業化的領軍企業，通過與全球數百家知名半導體科技企業、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發布相關創新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。

 

　　晶湛半導體高度重視自主研發和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有完全獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權。公司還先后榮獲蘇州市技術發明一等獎、蘇州工業園區專利授權十佳企業、蘇州工業園區知識產權高質量創造獎、江蘇省百件優質發明專利、江蘇省高質量發明專利、蘇州市優秀專利獎、國家高新技術企業、蘇州市獨角獸培育企業、蘇州市企業工程技術研究中心等一系列資質和榮譽。

 

　　近年來，在國家“十四五”規劃、“碳達峰碳中和”等重磅利好政策的指導下，在移動手機快充、新能源汽車、下一代移動通信、“元宇宙”和新型顯示等市場創新應用的持續推動下，氮化鎵迎來了高速發展的歷史機遇期，已成為半導體產業的明日之星。本次B+輪戰略融資將主要用于晶湛半導體總部和研發中心建設，項目達產后晶湛半導體將建成國際一流、國內首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發生產基地，推動晶湛半導體進入新的發展階段。