據(jù)介紹，該項(xiàng)技術(shù)報(bào)告提案經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）秘書處初審，認(rèn)為該技術(shù)報(bào)告的制定將有利于銜接產(chǎn)業(yè)鏈上中下游，推動(dòng)SiC MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)化工作進(jìn)展，助力產(chǎn)業(yè)對(duì)該器件可靠性的進(jìn)一步全面認(rèn)識(shí)，符合CASAS技術(shù)報(bào)告的立項(xiàng)條件，故予以審核通過，并報(bào)請(qǐng)CASAS管理委員會(huì)，分配編號(hào)為：T/CASA/TR 002。

 

針對(duì)SiC材料缺陷、工藝缺陷等帶來的器件可靠性一系列的問題，已經(jīng)引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。T/CASA/TR 002-202X《SiC MOSFET可靠性分析》首先闡述分析了襯底/外延、芯片工藝、封裝工藝帶來失效問題，然后調(diào)研、分析器件失效時(shí)關(guān)鍵特征參數(shù)的表征，如閾值電壓、體二極管退化、關(guān)態(tài)漏源電流等，以及可靠性試驗(yàn)及模型等內(nèi)容，最后聚焦在應(yīng)用相關(guān)動(dòng)態(tài)參數(shù)的可靠性測(cè)試。

 

復(fù)旦大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)聚焦寬禁帶半導(dǎo)體材料生長、功率器件物理與設(shè)計(jì)、先進(jìn)制造工藝及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊及可靠性測(cè)試、電力電子技術(shù)五大研究方向。現(xiàn)有成員17人，其中特聘教授3人，研究員/副研究員14人。2020年團(tuán)隊(duì)聯(lián)合華大半導(dǎo)體共建成立上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。在中心主任張清純教授帶領(lǐng)下通過與半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和電力電子應(yīng)用企業(yè)緊密合作，致力于研發(fā)基于寬禁帶半導(dǎo)體，特別是SiC材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代碳化硅基功率電子的廣泛應(yīng)用。團(tuán)隊(duì)現(xiàn)有復(fù)旦大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)驗(yàn)室、光華臨港寬禁帶功率器件及應(yīng)用創(chuàng)新平臺(tái)、以及復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所等研發(fā)平臺(tái)。

 

此外，《SiC MOSFET可靠性分析》技術(shù)報(bào)告的編寫還邀請(qǐng)了包括但不限于東南大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、中科院微電子所、國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院、西安電子科技大學(xué)、瀚天天成、工信部電子五所、泰科天潤、中科院電工所、禾望電氣、中電科十三所等單位共同參加，并誠邀產(chǎn)業(yè)內(nèi)可靠性相關(guān)專家共同開展這項(xiàng)起草工作，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)微薄之力。