中信建投發布研究報告稱，存儲為長期高成長賽道，國內需求龐大，國產化需求迫切，大宗市場和利基市場已有優秀廠商涌現，中信建投表示長期看好本土廠商的崛起，上市公司中，建議重點關注：兆易創新（NOR Flash龍頭）(603986.SH)、北京君正（車規存儲龍頭）(300223.SZ)、東芯股份（SLC NAND龍頭）(688110.SH)。
半導體最大細分，5G、AI、智能車驅動成長。存儲芯片為半導體的重要分支，產值占其30%，全球市場規模于波動中保持上升趨勢，從2005年的546億美元增至2020年的1229億美元，近15年復合增速達5.6%。復盤歷史，存儲芯片市場出現過多輪新終端或應用驅動的成長周期，如90年代PC的滲透，2000年功能機的滲透及iPod等推出，2010年代智能機的滲透及云計算的爆發，未來存儲芯片需求將在5G、AI以及智能車的驅動下步入下一輪成長周期。預計2021年市場規模將同比增長22%，2023年將超過2000億美元。
短期強周期，長期高成長。受益于服務器、手機、PC等下游需求驅動，存儲芯片市場規模快速擴張。中信建投判斷，未來數年，服務器、手機、PC仍是存儲芯片的核心應用，其中服務器需求增長明顯，將成為主要驅動力，而手機和PC的需求增長主要來自存量升級。此外，受益于汽車智能化，汽車存儲需求將持續高增，遠期市場有望比肩PC。從結構上看，DRAM和NAND為存儲芯片的核心品類，兩者2020年份額合計達96%，其中DRAM技術迭代以制程演進為主，NAND技術迭代以3D堆疊為主。存儲芯片市場格局趨向寡頭壟斷，因此大廠供給和下游需求的錯配導致了存儲周期，短時間維度看，存儲芯片價格周期性波動，長時間維度看，存儲芯片單位容量價格成下降趨勢。
中國存儲芯片自給不足，本土廠商有望崛起。目前，DRAM市場前三大廠商市占率合計大于95%，格局由三星電子、美光、SK海力士高度壟斷，馬太效應顯著，而NAND相對分散，中信建投判斷其格局未來將向DRAM演變。國內存儲芯片需求龐大，市場規模在430億美元以上，超全球的1/3，且增速高于全球平均水平，但自給率不足5%，龐大內需、新興應用及政策推動助力國產存儲芯片快速發展。從下游看，政府、電信、金融等關鍵領域將成為存儲芯片國產化的中堅力量，潛在需求超百億美元。除長鑫存儲和長江存儲攻堅大宗市場外，本土廠商多集中在利基市場，目前國產化率已達到一定水平，其中兆易創新、北京君正、東芯股份發展迅速，市場地位不斷提高。
