時代電氣4月12日晚間公告，公司控股子公司中車時代半導體擬投資4.62億元進行碳化硅芯片生產線技術能力提升建設項目，項目建設工期24個月。項目建成達產后，將現有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發能力，將現有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。