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俄羅斯制定半導體計劃 逆向工程年底沖90納米,2030年達28納米

日期:2022-04-18 來源:科技新報閱讀:226
核心提示:根據外媒 《tomshardware》 的報導,俄羅斯因與俄烏戰爭而受到西方國家的制裁,無法從一般的供應商取得芯片。因此,俄羅斯正在制
根據外媒 《tomshardware》 的報導,俄羅斯因與俄烏戰爭而受到西方國家的制裁,無法從一般的供應商取得芯片。因此,俄羅斯正在制定計劃,以重振其陷入困境的半導體制造。俄羅斯計劃,新的芯片計劃將關系未來八年的龐大投資,目標是在 2022 年底前開發出 90納米制程,2030 年底開發出 28納米制程。
 
報導指出,俄羅斯政府已經規劃了新的微電子發展計劃的初步版本,預計到 2030 年需要投資約 3.19 兆盧布(約 384.3 億美元),而透過這筆資金,以用于開發半導體生產技術、芯片設計、資料中心基礎設施開發、以及相關半導體人才培育、加上芯片解決方案的營銷等。
 
其中在半導體生產技術方面,俄羅斯計劃花費 4,200 億盧布 (約 52 億美元) 用于新的制造技術及其提升。短期目標之一,是在 2022 年底前達成以 90納米制造技術來提高芯片的產量。另一個更長期的目標,則是到 2030 年建立使用 28納米節點的制造,相較于臺積電,在這個技術節點已經于 2011 年完成。
 
報導指出,過去俄羅斯在軟件和高科技服務方面相當成功。不過,在芯片設計和制造方面則相對落后。雖然,計劃中一部分的目標是在培養俄羅斯國內的半導體人才和發展 IC 設計產業。但是,當前計劃中最重要的一項目標,就是在 2022 年底前建立一個 「外國解決方案」 的逆向工程計劃,將其技術轉移到俄羅斯手中。到 2024 年,規劃所有數位產品都能在俄羅斯國內生產。
 
報導強調,雖然俄羅斯的計劃包含很多內容,并逐一設定了目標。因為在無法使用美國、英國、或者是歐洲開發的技術下,俄羅斯是否會在 2024 年或 2030 年之前實現其目標,目前還很難說,但這并不意味著沒有實現的可能。而針對整個計劃,預計將于 2022 年 4 月 22 日確定,然后送交俄羅斯總理正式進行批準。
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