半導體產業網獲悉，工研院日前宣布，一方面與晶圓制造龍頭臺積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性存儲器（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory，SOT-MRAM）陣列芯片，另一方面攜手陽明交大研發出工作溫度橫跨近400度的新興磁性存儲器技術。

 

工研院表示，這項新興磁性存儲器技術，已在全球半導體領域頂尖“超大型積體技術及電路國際會議”（Symposiumon VLSI Technology and Circuits）發表相關論文，可望加速產業躋身下一代存儲器技術領先群。

 

制程微縮是在半導體先進制程的重要趨勢，其中磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）具有可微縮至22納米以下的潛力，并擁有高讀寫速度、低耗電，斷電后仍可保持資料特性，特別適用于嵌入式存儲器的新興領域。

 

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示，MRAM有媲美靜態隨機存取存儲器（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃存儲器非揮發性，近年來已成為半導體先進制程、下一代存儲器與運算的新星。

 

張世杰指出，存儲器若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，代表效率越高，工研院攜手臺積電共同發表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術，并達成0.4納秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度。

 

張世杰分享，這比歐洲最大的半導體研究機構比利時微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre，imec）多100倍，還有超過10年資料儲存能力等特性，未來可整合成先進制程嵌入式存儲器，應用在AI人工智能、車用電子、高效能運算芯片等領域具有極佳的前景。

 

另一方面，工研院與陽明交大今年也在VLSI共同發表新興磁性存儲器的高效能運作技術，優化自旋轉移矩磁性存儲器（Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數等特色。