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新潔能擬增資8000萬元控股國硅,加強功率IC/功率模塊布局

日期:2022-06-29 閱讀:751
核心提示:日前,新潔能發布公告表示,擬以自有資金8000萬元人民幣對國硅集成電路技術(無錫)有限公司進行增資,注冊資本由315.7895萬元增加至631.579萬元,增資后公司持股比例由5%增至52.5%。
半導體產業網獲悉,日前,新潔能發布公告表示,根據公司發展戰略規劃及實際發展經營的需要,擬以自有資金8000萬元人民幣對國硅集成電路技術(無錫)有限公司進行增資,注冊資本由315.7895萬元增加至631.579萬元,增資后公司持股比例由5%增至52.5%。本次增資以收益法評估結果作為定價依據,評估基準日為2022年3月31日,增資后國硅集成電路技術(無錫)有限公司納入公司2022年度合并財務報表范圍。
 
公告顯示,國硅集成電路技術(無錫)有限公司是一家專注于車規級智能功率集成電路芯片的設計公司,擁有完整的自主研發體系并掌握多項國內領先的關鍵核心技術,國內首創四端口單片集成高壓自舉、自適應高壓側窄脈沖傳輸、增強型快速電平移位、互導型電容隔離信號傳輸、超高精度的片上集成雙向過流保護等多項功率IC芯片核心技術,已形成系列智能功率集成電路芯片,包括:柵極驅動控制IC芯片(含IGBT、硅基MOSFET及三代半導體等開關器件的柵極驅動芯片)、電機驅動IC芯片(含半橋、H橋、三相橋);智能功率IC開關(SmartMOS)和功率驅動控制IC芯片及模塊(DrMOS、IPM等)系列產品在積極研發中。產品應用市場已涵蓋汽車電子、光伏及儲能、數據中心和工業控制等領域。目前,國硅的智能功率集成電路芯片已經在光伏逆變、光伏儲能、汽車電子和工業控制等市場成功上量。
 
新潔能表示,公司本次對國硅進行增資并實現控股,構建了集成電路領域發力平臺,不僅新增了IC系列產品本身,還能與公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結MOSFET等芯片集成創新,形成智能功率集成產品。在保持公司既有產品技術持續創新、領先的同時,又拓展了智能化、集成化的產品系列,提高了公司產品的整體領先性與綜合技術門檻,增強了公司的核心競爭力,進一步滿足高端客戶的創新需求,為終端客戶提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超結MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模塊等功率半導體芯片的整體解決方案,向打造國內功率半導體第一品牌的目標又前進了一大步。 
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