日前，據(jù)“上海發(fā)布”消息，上海經(jīng)信委介紹，集成電路領(lǐng)域14nm先進(jìn)工藝規(guī)模實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，90nm光刻機(jī)、5nm刻蝕機(jī)、12英寸大硅片、國產(chǎn)CPU、5G芯片等實(shí)現(xiàn)突破。此外，上海全市集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到2500億元，約占全國25%，集聚重點(diǎn)企業(yè)超過1000家，吸引了全國40%的集成電路人才。
據(jù)了解，中芯國際第一代FinFET 14nm工藝在2019年第四季度就完成了量產(chǎn)，而FinFET N+1工藝此前計(jì)劃在2021年規(guī)模量產(chǎn)。N+1是中芯國際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)，但從未明確具體數(shù)字節(jié)點(diǎn)，只是說相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％、SoC面積縮小55％，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。
（來源：快科技）
