T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件動態電阻評估》包含以下內容：a造成動態電阻的機理解釋匯總；b造成動態電阻的影響因素匯總；c動態電阻測試電路匯總。通過本報告，器件制造商和器件應用工程師可對動態電阻的機理及測試有更加深入的了解，從而幫助其解決動態電阻引起的系統可靠性問題。

 

“智能功率集成芯片與系統”創新團隊來自東南大學國家專用集成電路系統工程技術研究中心，團隊負責人為東南大學首席教授孫偉鋒教授，團隊由教師9名，博士后2名、博士生及碩士生若干名組成。團隊專注于功率半導體技術研究，主要包括：功率半導體器件設計、功率集成工藝開發、功率半導體器件模型開發、高壓電路設計、相關功率可靠性研究、功率開關電源、開關磁阻電機驅動器，此外在工業控制等綜合應用系統方面也進行了相關產品的研發工作。團隊研究成果獲國家技術發明二等獎、教育部技術發明一等獎、江蘇省科學技術進步一等獎等省部級獎項，發表IEEE期刊論文，ISPSD和ISSCC會議論文等共計200余篇，獲國內外發明專利100多項。

 

本文件主要起草單位：東南大學、浙江大學、南方科技大學、西安電子科技大學、大連理工大學、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學、工業和信息化部電子第五研究所、無錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發展有限公司……
 

本文件主要起草人：李勝、董澤政、汪青、李祥東、黃火林、銀杉、劉雯、賀致遠、王欽、宋亮……

 

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