2022年11月10日，由東南大學牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態電阻評估》技術報告形成委員會草案，本文件主要起草單位有：東南大學、浙江大學、南方科技大學、西安電子科技大學、大連理工大學、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學、工業和信息化部電子第五研究所、無錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發展有限公司、北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟。

作為第三代半導體器件的重要代表，氮化鎵（GaN）功率器件憑借優異的材料性能，在高頻、高效、高功率密度的電力電子變換領域（如數據中心、新能源汽車、分布式支電、各類消費電子等）具有十分廣闊的應用前景和市場機遇。然而，受器件表面陷阱及緩沖層陷阱的影響，目前主流的GaN器件仍然面臨著高壓開關過程中的動態電阻退化問題，這為基于GaN器件的電力電子變換器設計和損耗估算帶來了不確定性。

本報告梳理了GaN HEMT動態電阻上升的產生機理，分析了相關影響因素；匯總了動態電阻測試電路；希望通過本報告的編寫，器件制造商和器件應用工程師可對動態電阻的機理及測試有更加深入的了解，并能在此基礎上結合產業應用進展進一步討論，發掘出更多更詳盡、完善的技術解決方案，形成更多的產業共識，從而幫助正確評估動態電阻引起的系統性能和可靠性問題。

T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件動態電阻評估》包含以下內容：a造成動態電阻的機理解釋匯總；b造成動態電阻的影響因素匯總；c動態電阻測試電路匯總。通過本報告，器件制造商和器件應用工程師可對動態電阻的機理及測試有更加深入的了解，從而幫助其解決動態電阻引起的系統可靠性問題。

（來源：第三代半導體產業技術戰略聯盟）