由中國科學院半導體研究所、廈門市三安集成電路有限公司、北京大學、中興通訊股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所聯合提出的《射頻GaN HEMT結構的遷移率非接觸霍爾測量方法》團體標準提案，經CASAS管理委員會投票獲得通過，2022年11月21日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 027。

由中國電子科技集團第十三研究所、河北博威集成電路有限公司、北京國聯萬眾半導體科技有限公司、中興通訊股份有限公司、西安電子科技大學、河北北芯半導體科技有限公司聯合提出的《Sub-6GHz GaN 射頻產品可靠性篩選和驗收方法》和《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測試方法》團體標準提案，經CASAS管理委員會投票獲得通過，2022年11月21日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 028、T/CASAS 029。

由中國電子科技集團第五十五研究所、中興通訊股份有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、廈門市三安集成電路有限公司、中國科學院半導體研究所、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、中國電子科技集團第十三研究所聯合提出的《GaN毫米波前端芯片測試方法》團體標準提案，經CASAS管理委員會投票獲得通過，2022年11月21日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 030。

由中興通訊股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、中國電子科技集團第五十五研究所、蘇州能訊高能半導體有限公司、廈門市三安集成電路有限公司、中國科學院半導體研究所、西安電子科技大學、清華大學、北京大學聯合提出的《面向5G基站應用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測試方法》團體標準提案，經CASAS管理委員會投票獲得通過，2022年11月21日正式立項，并分配標準編號：T/CASAS 031。

秘書處將向CASAS正式成員發出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 027—20XX《射頻GaN HEMT結構的遷移率非接觸霍爾測量方法》規定了射頻GaN HEMT結構的遷移率非接觸Hall測量方法，適用于遷移率量測范圍在100 cm2/V•s ~ 3000 cm2/V•s 的射頻GaN HEMT 外延片。

T/CASAS 028—20XX《Sub-6GHz GaN 射頻產品可靠性篩選和驗收方法》適用于Sub-6GHz GaN 射頻器件的篩選、測試與驗收要求。

T/CASAS 029—20XX《Sub-6GHz GaN 射頻器件微波特性測試方法》規定了Sub-6GHz GaN 射頻器件的詳細測試要求，該項標準對研發生產、性能評估、量產測試和應用評價等具有重要指導意義。

T/CASAS 030—20XX《GaN毫米波前端芯片測試方法》規定了GaN 毫米波前端模塊的術語、定義、測試條件、測試要求和測試方法，該標準借鑒了GJB 548B－2005（微電子器件試驗方法和程序）等國標的內容，并結合了近幾年科研人員在毫米波氮化鎵前端模塊領域的研發、測試評估以及應用方面的經驗總結，對毫米波氮化鎵前端模塊性能指標的測試方法進行了詳細的規定，包括且不限于測試目的、測試環境、測試方法及步驟、測試工具及儀表等。

T/CASAS 031—20XX《面向5G基站應用的Sub-6GHz氮化鎵功放模塊測試方法》文件規定了氮化鎵功放模塊的術語、定義、測試條件、測試要求和測試方法，該項標準借鑒了3GPP TS 37.104 V16.5.0 等國標的內容，并結合了近幾年科研人員在氮化鎵功放領域的研發、測試評估以及應用方面的經驗總結，對氮化鎵功放性能指標的測試方法進行了詳細的規定，包括且不限于測試目的、測試環境、測試方法及步驟、測試工具及儀表等。