近期，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）使用導模法成功制備了高質量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破。

據悉，穩態氧化鎵晶體為單斜結構，存在（100）和（001）兩個解理面，主面為（001）晶體的生長工藝要求極高的工藝過程控制，相同加工條件下（001）面表面質量和成品率也更優。

駱駝股權投資消息顯示，銘鎵半導體光學晶體已完成中試，開始轉型規模化量產；其生產的摻雜人工光學晶體已獲得國內國外客戶的廣泛認可；磷化銦多晶材料產線也已上線運營，完成重點客戶認證工作，并獲得客戶的長期穩定性訂單。

銘鎵半導體成立于2020年，是一家從事新型超寬禁帶半導體材料以及人工晶體半導體材料產業化的公司，致力于相關高頻、高功率器件的設計研發及產業化。其官方消息稱，銘鎵半導體采用自主研發和國際先進材料生長及加工設備，構建了滿足氧化鎵單晶生長、氧化鎵異質/同質外延片生長、摻雜藍寶石晶體生長、超高頻磷化銦材料、晶體加工、芯片器件系統制作及檢測等技術開發和成品化規模生產的研發基地。

目前，銘鎵半導體已研制并生產出高質量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測系統等產品。

（來源：集微）