納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術的混合設計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。 

這款針對AI數(shù)據(jù)中心優(yōu)化的輸出電壓為54V的服務器電源，符合開放計算項目（OCP）和開放機架v3（ORv3）規(guī)范，其三相交錯PFC和LLC拓撲結構中采用了高功率GaNSafe™氮化鎵功率芯片和第三代快速碳化硅 MOSFETs，以確保實現(xiàn)最高效率和最佳性能，同時將無源器件的數(shù)量降至最低。 

與競爭對手使用的兩相拓撲相比，該電源所采用的三相拓撲結構，能為PFC和LLC帶來行業(yè)內(nèi)最低的紋波電流和EMI。此外，與最接近的競品相比，該電源的氮化鎵和碳化硅器件數(shù)量要少25%，進而降低了整體成本。該電源的輸入電壓范圍為180至264 Vac，待機輸出電壓為12V，工作溫度范圍為-5°C至45°C，在8.5kW時的保持時間為10ms，通過擴展器可達到20ms。

該電源的三相LLC拓撲結構由高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片驅動，該芯片專為要求嚴苛的高功率應用（如AI數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場）而設計打造。GaNSafe作為納微的第四代氮化鎵產(chǎn)品集成了控制、驅動、傳感和關鍵保護功能，具備前所未有的可靠性和魯棒性。 

作為全球氮化鎵功率芯片的安全巔峰，GaNSafe具有短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護、消除負柵極驅動和可編程的斜率控制。所有這些功能都可通過芯片4個引腳控制，使得封裝可以像一個離散的氮化鎵FET一樣被處理，不需要額外的VCC引腳、納微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT兩種封裝，RDS(ON)MAX范圍從25到98mΩ，可應用于1kW 到22kW的大功率應用場景。 

該電源的三相交錯CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驅動，其采用了“溝槽輔助平面”技術。該技術是GeneSiC超過20年的碳化硅行業(yè)深耕的匠心之作，可提供全球領先的溫度性能，具備低溫升運行、快速開關和卓越的魯棒性的特點，以加速電動汽車的充電速度或為AI數(shù)據(jù)中心增進3倍功率。 

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示，“納微完整的氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品組合，是納微AI數(shù)據(jù)中心電源技術路線圖不斷發(fā)展的關鍵所在，剛剛發(fā)布的8.5kW電源正是最好的體現(xiàn)，而短期內(nèi)我們也將陸續(xù)推出12kW甚至更高功率的服務器電源。 

目前，全球大部分數(shù)據(jù)中心都無法滿足英偉達最新Blackwell GPUs的功率需求，這暴露了整個行業(yè)生態(tài)準備不足的困境，而我們?nèi)碌?.5kW電源將是解決AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心功率需求問題的關鍵秘鑰。”