據(jù)悉，近日，第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延領(lǐng)軍企業(yè)晶湛半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，這是繼今年3月完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資以來的又一輪融資。本輪增資由蔚來資本、美團(tuán)龍珠領(lǐng)投，華興資本旗下華興新經(jīng)濟(jì)基金、欣柯資本等跟投，老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。

　　

近年來，氮化鎵材料不僅在電力電子和新型顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)。晶湛半導(dǎo)體長(zhǎng)期專注于高質(zhì)量GaN材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，已建成國(guó)內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的GaN外延材料研發(fā)和生產(chǎn)基地，并已先后通過ISO9001:2015質(zhì)量管理體系和IATF16949:2016車規(guī)質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

 

晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、總裁程凱表示，今后晶湛將繼續(xù)加大研發(fā)和技術(shù)投入，加速推進(jìn)GaN材料在汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。