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3年內(nèi)WPE破10%,至芯半導(dǎo)體透露紫外LED Roadmap

日期:2023-01-13 閱讀:258
核心提示:近日,至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝在2022年行家說探索紫外LED產(chǎn)業(yè)「新坐標」高峰論壇上,分享了《紫外LED技術(shù)突破及應(yīng)用智能化趨勢

近日,至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝在2022年行家說·探索紫外LED產(chǎn)業(yè)「新坐標」高峰論壇上,分享了《紫外LED技術(shù)突破及應(yīng)用智能化趨勢》,指出紫外LED外延芯片技術(shù)當中的難點,探索紫外芯片技術(shù)新的進展及透露紫外LED Roadmap。

單顆UVC芯片功率突破210mW

至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝指出,UVC-LED效率低的關(guān)鍵問題主要存在:低摻雜效率、高接觸電阻、AlN/AlGaN高位錯密度、MQW應(yīng)力調(diào)控、材料內(nèi)部吸收、電極吸收、紫外TM/TE等問題,可以從AlN/AlGaN材料質(zhì)量、高Al組份AlGaN N/P型摻雜、TE光出光轉(zhuǎn)換成TM光、pGaN作為P型接觸材料吸收,內(nèi)部材料的吸收以及金屬電極的吸收這五個方面解決。

至芯半導(dǎo)體以UVB、UVC波段(240-340nm)的芯片及燈珠產(chǎn)品為主,目前已開發(fā)出多種型號芯片。尺寸10mil*20mil芯片,在額定電流為40mA下,光功率達到6~12mW;尺寸20mil*20mil芯片,在額定電流為100mA下,光功率達到15~25mW。尤其是在大功率芯片上,推出45mil*45mil 尺寸型號 ,在額定電流為350mA下,光功率可以達到60~100mW。并且在最新的測試中,至芯半導(dǎo)體實現(xiàn)單顆UVC芯片的功率突破210mW。

WPE超過4%,未來將超過10%

在產(chǎn)能方面,早在2021年下半年,芯片產(chǎn)出已突破 50KK/月,燈珠產(chǎn)能10KK/月,已經(jīng)正式面向市場。在光電轉(zhuǎn)換效率方面上,至芯半導(dǎo)體在全國都處于領(lǐng)先位置,目前已和不少知名企業(yè)進行合作,包括空氣凈化、凈水器、消菌棒、加濕器、母嬰消毒柜、冰箱、空調(diào)等產(chǎn)品都在使用不同型號及尺寸的深紫外芯片。至芯半導(dǎo)體執(zhí)行總裁黃小輝認為,UVC-LED未來的增長點主要在水處理、汽車、空調(diào)等方面。

圍繞紫外殺菌、紫外醫(yī)療、紫外探測及紫外通信方向,至芯半導(dǎo)體有遠大的理想和使命,2022年已實現(xiàn)紫外芯片WPE超過4%的量產(chǎn)水平,未來將實現(xiàn)紫外芯片WPE超過10%。

至芯半導(dǎo)體作為國內(nèi)屈指可數(shù)擁有半導(dǎo)體紫外全波段核心芯片、器件及光源系統(tǒng)的核“芯”科技企業(yè)。未來,至芯半導(dǎo)體將持續(xù)圍繞著新材料、新工藝、新應(yīng)用等方面進一步深入研發(fā),持續(xù)提升智能制造水平,保持技術(shù)領(lǐng)先地位。

 
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