近日，從順義科創(chuàng)集團獲悉，入駐企業(yè)北京銘鎵半導體有限公司實現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首批掌握第四代半導體4英寸氧化鎵單晶襯底生長技術(shù)公司之一。

銘鎵半導體工作人員在做相關(guān)試驗。

北京銘鎵半導體有限公司創(chuàng)始人、董事長陳政委向記者介紹，穩(wěn)態(tài)氧化鎵晶體為單斜結(jié)構(gòu)，存在（100）和（001）兩個解理面，主面（001）晶體的生長對工藝過程控制的要求極高，也更適于制備功率半導體器件，因此控制生長主面（001）晶相氧化鎵晶體難度非常大。陳政委告訴記者：“此次，我們使用導模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4 英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且將進行多次重復性實驗，從很大程度上解決了氧化鎵晶體生長的相關(guān)技術(shù)難題。”

北京銘鎵半導體有限公司成立于2020年，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內(nèi)較早將半導體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化落地的企業(yè)之一。2022年6月，該公司完成了由社會資本領投8千萬元A輪融資，順義科創(chuàng)集團及時準確掌握企業(yè)發(fā)展訴求，騰退園區(qū)989平方米閑置廠房，協(xié)助企業(yè)解決擴產(chǎn)空間需求，助推氧化鎵擴大加工線及新建潔凈室順利落地。2023年底完成擴產(chǎn)計劃后，銘鎵半導體將建成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延、性能測試于一體的氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線，成為年產(chǎn)千片以上規(guī)模的氧化鎵材料企業(yè)，滿足下游100多家器件設計、制造封裝工業(yè)企業(yè)與科研院所的材料供應需求。

銘鎵半導體潔凈室。

陳政委表示，在完成4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破的同時，公司光學晶體已完成中試，開始轉(zhuǎn)型規(guī)?；慨a(chǎn)，其生產(chǎn)的摻雜人工光學晶體已獲得客戶的廣泛認可，另外磷化銦多晶材料產(chǎn)線也已上線運營，完成重點客戶認證工作，并獲得長期穩(wěn)定性訂單。

目前，銘鎵半導體已研制并生產(chǎn)出高質(zhì)量、大尺寸氧化鎵單晶片與外延片、大尺寸藍寶石窗口材料、磷化銦多晶及單晶襯底、高靈敏日盲紫外探測傳感器件、高靈敏光電型局部放電檢測系統(tǒng)等產(chǎn)品。