吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發的首款車規級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。

該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。

晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統中的開發需求，不斷研制性能優越的芯片和模塊產品。

IGBT 是現代電力電子中的主導型器件，被譽為電力電子行業里的 CPU。近期，也有行業開發者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創新應用場景會更加豐富。

晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創新，發揮“芯片設計 + 模塊制造 + 車規認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優越的功率產品和服務。

(來源：IT之家)