半導體產業網獲悉：據韓國媒體THELEC報導，三星電子正在推進設備投資，以開發8英寸SiC/GaN工藝，目前已經投資了1000 億至 2000 億韓元（約合人民幣5.3億至10.6億元）。

SiC和GaN被認為是下一代功率半導體材料。與傳統的硅相比，它具有出色的耐高溫和高電壓耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以電動汽車為代表的汽車市場對它的需求不斷增加。由于開關速度快，GaN被評價為更適合高頻環境下的無線通信。

報道稱，三星電子在今年年初成立了“功率半導體”任務小組（TF），進軍 SiC/GaN 功率半導體市場。據了解，除了三星電子DS事業部內的主要事業部外，LED事業部和三星高等技術研究院也參與了“功率半導體”任務小組，具體目標就是開發8英寸SiC GaN工藝。

一位韓國的知情人士表示，“我了解到三星電子決定推動一項計劃，將用于 SiC 和 GaN 開發的 LED 工藝中使用的部分 8 英寸設備混合使用，以提高開發效率。”值得注意的是，與GaN已經普及8英寸晶圓不同，SiC目前仍以4英寸和6英寸晶圓為主，8英寸晶圓還沒有達到商業化。最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大廠正式定下8英寸SiC晶圓量產的目標。

因此，業界認為，考慮到進入實際SiC市場的時機，三星電子正在嘗試從8英寸而不是6英寸開始開發工藝。在類似的背景下，DB HiTek 計劃使用 6 英寸進行 SiC 工藝的初步開發，并從 8 英寸開始進行實際的功率半導體量產。目前，三星電子正在投資 8 英寸工藝設施，用于 SiC/GaN 開發，迄今為止的投資額已經超過1000億至2000億韓元。據估計，該投資規模足以實現原型的量產，而不僅僅是簡單的開發。

報道稱，三星電子內部對下一代功率半導體業務抱有相當大的熱情。一位業內人士暗示說：隨著三星DS 部門總裁Kyung-hyeon直接負責，功率半導體業務正在蓄勢待發。三星電子表示，（SiC功率半導體）相關業務仍處于研究階段，尚未決定是否將其具體商業化。