據eeNews報道，安森美正在開發使用溝槽結構而不是平面結構的碳化硅MOSFET，將于今年晚些時候推出，預計2024年會出樣。該公司在捷克布爾諾附近擁有SiC外延片工廠，并在韓國的一家晶圓廠進行設備制造。 轉向溝槽結構允許在150毫米（6英寸）晶圓上構建更多器件，從而降低器件成本。該公司還有一個用于200毫米（8英寸）SiC晶圓生產的工程計劃。

EliteSiC M3S器件針對800 V電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和能源基礎設施應用，例如EV充電、太陽能和儲能系統。除此之外，還用于采用標準F2封裝的低Rds(on)半橋功率集成模塊 (PIM)。這些模塊針對工業應用，非常適合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉換級。它們通過優化的直接鍵合銅設計提供更高級別的集成，以實現并聯開關之間的平衡電流共享和熱分布。PIM旨在為能源基礎設施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源(UPS)提供高功率密度。

“安森美最新一代的汽車和工業EliteSiC M3S產品將使設計人員能夠減少他們的應用足跡和系統冷卻要求，”安森美高級副總裁兼高級電源部門總經理Asif Jakwani說。“這有助于設計人員開發具有更高效率和更高功率密度的大功率轉換器。”、

（來源：集微網）