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芯干線獲融和資產戰略投資,深耕第三代半導體功率器件及模塊研發設計與銷售

日期:2023-08-28 閱讀:589
核心提示:芯干線獲融和資產戰略投資,深耕第三代半導體功率器件及模塊研發設計與銷售

 近期,融和資產通過上海中電投融和新能源投資管理中心(有限合伙)及上海融和九智私募基金合伙企業(有限合伙)完成對南京芯干線科技有限公司(簡稱芯干線)的戰略投資,布局新能源產業鏈上游電力電子元器件領域。

芯干線由功率半導體行業資深海歸博士、電源行業市場專業人士共同組建而成,核心創始人傅玥博士2022年-2023年連續兩屆當選IEEE ISPSD*執行委員會高壓器件協會主席。

*IEEE ISPSD(國際功率半導體器件與集成電路年會),是國際上功率半導體領域的頂級學術會議,被譽為功率半導體領域的“奧林匹克會議”。

自成立以來,該公司深耕第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等功率器件及智能功率模塊(IPM)產品等研發設計與銷售,建成三大芯片研發中心(南京、蘇州、深圳)及測試中心(南京),已申請芯片及模塊各類專利40余件,并為下游新能源領域的頭部客戶批量穩定供貨。

▲芯干線部分產品線展示圖

第三代半導體材料以碳化硅和氮化鎵為典型代表,是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料,具備高頻、耐高壓、耐高溫等優越性能,在新能源車、光伏、風電、5G基站、高鐵等領域有著很大應用潛力。

2022年我國第三代半導體市場規模達到111.79億元,同比增長39.2%,2018年到2022年復合增長率為43%,增長速度驚人,然而以美國科銳(Cree)、德國英飛凌(Infenion)為代表的歐美企業占據國內絕大部分市場。

▲碳化硅和氮化鎵的應用領域

芯干線是國內少數同時布局碳化硅和氮化鎵功率器件的企業,始終堅持自主知識產權開發,形成了豐富的產品線,包括GaN HEMT、GaN模塊、SiC SBD、SiC MOS、SiC模塊等,可為客戶提供先進的第三代半導體和全面的技術支持。目前,該公司已與國內一線PD快充公司、電摩零部件企業、新能源汽車電驅動企業達成戰略合作。

本次融資后,融和資產將與芯干線開展戶用和工商儲能、充電樁、新能源汽車等多領域合作,助力第三代半導體智能功率模塊產線的建設,為客戶提供更多專業化、模塊化的產品及更具性價比的解決方案,推動半導體領域關鍵技術國產化替代,賦能先進制造產業發展“芯”未來。

來源:融和租賃

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