據悉，近日，第三代半導體功率器件制造廠商安徽長飛先進半導體有限公司（以下簡稱“長飛先進”）發生工商變更，新增東風汽車旗下信之風（武漢）股權投資基金合伙企業（有限合伙）、安徽省皖能海通雙碳產業并購投資基金合伙企業（有限合伙）等多位股東。同時，長飛先進的注冊資本由約1.50億元增至約2.92億元。

 

資料顯示，長飛先進成立于2018年，是一個專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發及制造，擁有產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力

 

長飛先進可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。我們致力于提供高品質的服務，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。

 

此前7月，長飛先進正式宣布完成超38億元A輪股權融資，融資規模創國內第三代半導體私募股權融資規模歷史之最，并刷新2023年以來半導體私募股權融資市場單筆最大融資規模記錄。

 

長飛先進本次A輪融資新增投資方包括光谷金控、富浙、中平資本、中建材新材料產業基金、中金資本旗下基金（中金上汽、中金瑞為、中金知行、中金啟合）、海通并購基金、國元金控集團旗下基金（國元股權、國元基金、國元創新）、魯信創投、東風資產、建信信托、十月資本、華安嘉業、中互智云、寶樾啟承、云岫資本等。

 

一代材料一代應用，SiC自身的材料特性決定了其在高壓高功率領域具有獨特優勢，SiC功率器件相對Si基器件效率更高、尺寸更小，在新能源汽車、光伏、儲能等領域快速滲透，有助于“雙碳”目標的實現，也是高速成長的藍海市場。

 

碳化硅作為第三代半導體的重要代表細分領域之一，未來在新能源汽車等行業具有廣闊且高成長性的發展應用潛力。長飛先進稱，將錨定公司戰略持續加強產品研發、提升制造工藝、擴充產能規模、強化客戶開發、優化人才團隊，不斷夯實行業領先地位。

 

同時，長飛先進當時表示，已啟動位于“武漢·中國光谷”的第二基地建設，項目一期投資規模超60億元，項目總投資預計超過200億元。項目一期將于2025年建設完成，屆時將成為國內碳化硅產能最大(年產36萬片碳化硅晶圓)、封裝產線齊全、以及包含外延生長和前沿創新中心的一體化新高地。