格芯佛蒙特州半導體制造工廠表示，繼續朝著大規模生產用于航空航天和國防、蜂窩通信、工業物聯網和汽車的下一代氮化鎵芯片邁進。

 

格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關和控制應用的理想技術，對于6G無線通信、工業物聯網和電動汽車非常重要。”

 

格芯計劃購買更多設備來提升開發和原型設計能力，向大規模200mm硅基氮化鎵半導體制造邁進。作為投資的一部分，格芯計劃實施新的能力，以減少格芯及其客戶面臨鎵供應鏈限制的風險，同時提高氮化鎵芯片的開發速度、供應保證和競爭力。

 

資料顯示，氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優勢，可以滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求，因此受到了市場密切關注。

 

當前，氮化鎵的應用已經不再局限于快充等消費電子市場，而是向數據中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續推進。

 

 

 

據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復合增長率高達65%。

 

強大的市場需求下，包括格芯、英飛凌、DB Hi-Tech、三安光電、華潤微等眾多半導體廠商開始擴充生產線，布局氮化鎵市場。未來，氮化鎵成長空間廣闊。