年度新品發(fā)布

第二代碳化硅MOSFET芯片

基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。同時，產(chǎn)品的封裝更為豐富，以更好滿足客戶需求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領(lǐng)域。

今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ 碳化硅 MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A 碳化硅二極管芯片進行配合使用。

汽車級碳化硅MOSFET功率模塊

基本半導(dǎo)體專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計開發(fā)了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊，并在此次發(fā)布會上整體亮相，包括PcoreTM6汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。

該系列汽車級功率模塊采用先進的有壓型銀燒結(jié)工藝、高性能銅線鍵合技術(shù)、銅排互連技術(shù)以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點。

工業(yè)級碳化硅MOSFET功率模塊

為更好滿足工業(yè)客戶對于高功率密度的需求，基本半導(dǎo)體推出工業(yè)級全碳化硅 MOSFET 功率模塊PcoreTM2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能 6英寸晶圓平臺設(shè)計，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機、光伏逆變器等領(lǐng)域。

門極驅(qū)動芯片及驅(qū)動器

基本半導(dǎo)體針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出碳化硅及IGBT門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用，新產(chǎn)品包括單、雙通道隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。產(chǎn)品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)電源、商用空調(diào)等領(lǐng)域。

同時，基本半導(dǎo)體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅(qū)動器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品集成軟關(guān)斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護和VCE短路保護等功能，可適配功率器件最高電壓2300V，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、風(fēng)電變流器、電機傳動、大功率開關(guān)電源等領(lǐng)域。

功率器件產(chǎn)品及技術(shù)交流

新品發(fā)布會后，基本半導(dǎo)體技術(shù)專家分別介紹了公司在碳化硅MOSFET芯片、硅IGBT 和碳化硅 MOSFET 混合并聯(lián)研究技術(shù)、碳化硅功率模塊、功率器件門極驅(qū)動器及驅(qū)動芯片的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)經(jīng)驗。