SiC外延生長是SiC產業鏈中的關鍵一步。4H-SiC(碳化硅)半導體是制作高溫,高頻,大功率電力電子器件的理想電子材料,近20年來材料生長技術水平不斷提升,材料品質逐步提高。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間在“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中國科學院半導體所助理研究員閆果果做了“6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究”的主題報告，分享了6英寸4H-SiC的外延生長，以及深能級晶圓的研究進展。

4H-SiC雙極器件對外延層的要求涉及厚外延層和低摻雜濃度實現高阻斷電壓，以及用于低正向電壓降的高載流子壽命。報告中分享了6μm 4H-SiC外延層、10-11μm 4H-SiC外延層、4H-SiC外延層的批量生產，DLTS樣品和設備，4H-SiC材料中的深能級，晶片中深能級的分布，缺陷濃度和載流子壽命，晶片中深能級的控制，退火對深層的影響，碳離子注入退火的影響等研究進展。

報告指出，對于6英寸4H-SiC的外延生長方面，用自制的熱壁LPCVD反應器對直徑為150mm的4H-SiC Si面襯底進行了均勻外延生長。已經實現了4H-SiC外延層的生長，厚度和摻雜均勻性分別為~0.5%和~3.5%。深能級晶圓研究方面，4H-SiC外延片的Z1/2缺陷分布均勻，缺陷密度與載流子壽命密切相關。深能級瞬態光譜（DLTS）是表征深能級的一種有效方法。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）