據國家知識產權局公告，紹興中芯集成電路制造股份有限公司取得一項名為“半導體器件及其形成方法“，授權公告號CN111740717B，申請日期為2020年2月。專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體器件及其形成方法。在形成圖形化的光阻層之前，還在電極材料層上形成掩模材料層，并且在對掩模材料層執行圖形化工藝時，僅將光阻層中的電極圖形復制至掩模材料層的上部分中，從而在去除光阻層的過程中，可避免用于去除光阻層的剝離液侵蝕電極材料層。以及，在圖形化的掩模層的掩模下，結合裁剪工藝進一步圖形化電極材料層，以構成電極層，進而可以更為精確的控制電極材料層的消耗量，有利于保障所形成的電極層的性能。

（來源：金融界）