2月21日，利揚芯片全資子公司利陽芯（東莞）微電子有限公司舉行開業儀式。利陽芯項目已入選東莞市2023年重大建設項目，近期已成功完成晶圓減薄、拋光，激光開槽，激光隱切等系列技術工藝的調試并將進入量產階段。

據悉，利陽芯在晶圓減薄、拋光技術工藝方面，目前可提供業內最高標準的超薄晶片減薄加工技術服務。采用全自動研削拋光機，實現背面研削和去除應力的一體化作業，可穩定地實施厚度在25μm以下的薄型化加工。

利陽芯在激光開槽技術工藝方面，采用非接觸的激光加工去除晶圓切割道表面的金屬布線層，支持晶圓的開槽和全切工藝，激光開槽寬度20-120μm連續可調，開槽深度可達26-30μm，有較好的槽型和深度穩定性，適用于切割道存在多金屬、厚金、Low-K、鈍化層等多種情況。激光開槽工藝技術解決常規刀片切割帶來的崩邊、金屬卷邊和金屬殘留等異常及正面鈍化層破裂的品質問題，避免芯片產品存在可靠性風險。

利陽芯擁有業內領先的無損內切激光隱切技術。隱形切割是將激光聚焦于晶圓內部以形成改質層，配合擴片將晶圓分割成die（裸片/裸晶）的切割方法。該技術可適用于加工最窄20μm切割道的晶圓，（標準劃片道由60μm縮小至20μm），提升晶圓芯片面積的利用率，提高Gross dies的數量，預計降低芯片成本最大可達30%以上。激光隱切技術可取代很多傳統金剛石水切工藝無法解決的技術難題。