據國家知識產權局公告，上海芯導電子科技股份有限公司申請一項名為“TrenchMOSFET器件的自對準的制備方法“，公開號CN117612942A，申請日期為2023年11月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種Trench MOSFET器件的自對準的制備方法，包括：提供一襯底，包括若干接觸孔區域；在所述襯底上形成若干柵極溝槽、柵極多晶硅層、第一接觸孔柱、體區離子注入區、源區離子注入區、柵極氧化層以及層間介質層；以所述層間介質層為掩膜，刻蝕所述第一接觸孔柱以及其底部的部分所述體區離子注入區，直至第一深度，并刻蝕部分所述柵極多晶硅層直至第一深度，以在所述接觸孔區域與部分所述柵極多晶硅層中形成接觸孔。本發明提供的技術方案進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸。

（來源：金融界）