據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，比亞迪（002594）半導(dǎo)體股份有限公司申請一項(xiàng)名為“逆導(dǎo)型IGBT功率器件及其制備的方法和電子設(shè)備“，公開號(hào)CN117637820A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提出一種逆導(dǎo)型IGBT功率器件及其制備方法，逆導(dǎo)型IGBT功率器件包括至少一個(gè)元胞，元胞包括：第一導(dǎo)電類型的電場區(qū)，所述電場區(qū)的正面形成有正面結(jié)構(gòu)，所述電場區(qū)的背面形成有集電極結(jié)構(gòu)，集電極結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型的第一集電極層、第二導(dǎo)電類型的第二集電極層、集電極插入層、集電極互連部和集電極，所述集電極插入層位于所述電場區(qū)中，所述集電極插入層通過所述集電極互連部與所述第二集電極層連接。本發(fā)明的逆導(dǎo)型IGBT功率器件，正向?qū)〞r(shí)，可以減少電壓折回現(xiàn)象，有效抑制負(fù)阻效應(yīng)，提高器件性能。