據國家知識產權局公告，蘇州東微半導體股份有限公司申請一項名為“氮化鎵器件及其制造方法“，公開號CN117637832A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本發明實施例提供的一種氮化鎵器件，包括：襯底層；位于所述襯底層之上的氮基半導體層；在所述氮基半導體層上形成的源電極、漏電極以及位于所述源電極和所述漏電極之間的柵結構，所述柵結構包括：鈍化層；位于所述鈍化層之上的浮柵，所述浮柵向所述源電極的一側延伸至所述氮基半導體層之上并與所述氮基半導體層接觸形成pn結二極管；位于所述浮柵之上的控制柵，所述控制柵向所述源電極的一側延伸至所述氮基半導體層之上，所述控制柵通過柵介質層與所述浮柵和所述氮基半導體層隔離。