據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，比亞迪（002594）半導(dǎo)體股份有限公司申請一項名為“終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件“，公開號CN117673117A，申請日期為2022年8月。

專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及終端結(jié)構(gòu)及其制造方法以及功率器件。終端結(jié)構(gòu)包括第一電極層、絕緣介質(zhì)層、襯底和第二電極層，絕緣介質(zhì)層、襯底和第二電極層層疊設(shè)置，襯底上設(shè)置有主結(jié)、摻雜場終止環(huán)、第一場限環(huán)和摻雜層，主結(jié)設(shè)置在襯底的內(nèi)側(cè)，摻雜場終止環(huán)設(shè)置在襯底的外側(cè)，第一場限環(huán)環(huán)繞主結(jié)，摻雜層沿著第一場限環(huán)的一側(cè)的外壁延伸至第一場限環(huán)的底部；摻雜層的摻雜濃度大于襯底的摻雜濃度。本發(fā)明實施例提供的終端結(jié)構(gòu)，摻雜層摻雜濃度大于襯底的摻雜濃度，能夠?qū)﹄妶鼍哂袪恳饔茫瑥亩鴾p輕電場在絕緣介質(zhì)層表面的集中作用，減小表面電場，提高擊穿電壓，提高耐壓值。