4月24日，韓國存儲芯片巨頭SK海力士宣布，計劃在韓國投資5.3萬億韓元（約278.78億人民幣）建設一座新的動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片生產基地，計劃于4月底開始建造工廠，預計將在2025年11月前實現量產。
SK海力士在聲明中稱，包括計劃逐步增加的投資在內，新生產基地的長期投資總額預計將超過20萬億韓元（約1052億人民幣），SK海力士計劃在現有的清州生產基地附近建立新工廠，提高DRAM的產能，重點是高帶寬內存（HBM）芯片。
SK海力士預測，HBM芯片市場的年增長率將超過60%，盡管隨著數據中心的不斷增加，普通DRAM的銷量也在穩步上升。
SK海力士在韓國的投資還包括龍仁半導體產業園區等，長期投資規模約為120萬億韓元（約6312億人民幣）。此外，SK海力士還計劃斥資39億美元在美國印第安納州建立先進的封裝工廠和人工智能（AI）產品研究中心。
由于芯片行業低迷，SK海力士去年削減了50%的年度投資，并在10月份表示，2024年的投資增幅將保持在最低水平。盡管SK海力士對投資持謹慎態度，但該公司同時表示，市場對HBM芯片的需求量非常大，其今年和明年大部分時間的產能已被預訂一空。
同日，SK海力士發布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.43萬億韓元（約653.82億人民幣），同比增加144%；營業利潤為2.89萬億韓元（約152.01億人民幣），同比扭虧為盈；凈利潤為1.92萬億韓元（約100.99億人民幣），上年同期虧損2.59萬億韓元（約136.23億人民幣）。
