5月22日，東風汽車發文稱，東風與中車合作成立的智新半導體，開展自主攻關，研發生產車規級IGBT模塊，并順利實現了IGBT產品量產，一期產能30萬只，主要生產400V硅基IGBT模塊，與國外產品相比，價格降低50%，實現了國產IGBT模塊從無到有的突破。

智新半導體第二條生產線今年4月已經投用，規劃產能40萬只，兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V碳化硅模塊，產線的國產化率達到70%，預計7月批量投產，10月大批量投用智新半導體800V碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，散熱性能更好、耐壓能力更強，能量轉化效率提高3%。

與同樣性能的國外產品相比，該模塊成本降低30%，實現從有到優的突破。為保證產品質量智新半導體以大數據為基礎實現從生產到安裝的全流程可追溯、可監控產品搭載整車后運行情況和特征一目了然。目前，智新半導體正在研發雙面水冷塑封碳化硅模塊體積減小40%能實現更低損耗、更高效率進一步提升車輛續航里程降低整車成本根據已有的產品智新半導體正努力實現從原材料到生產線設備的國產化替代進一步降低成本、提高市場競爭力。

此外，智新半導體正規劃第三條生產線，規劃年產能50萬只，到2025年，智新半導體將達到總產能120萬只IGBT模塊，全力支撐“十四五”東風公司100萬輛新能源車的銷量目標。