天眼查知識產權信息顯示，常州銀河世紀微電子股份有限公司申請一項名為“一種SiCMOSFET板級封裝優化設計方法“的專利，公開號CN202410426444.5，申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種SiC MOSFET板級封裝優化設計方法，包括以下步驟：構建SiC MOSFET FOPLP的寄生電感、模塊熱阻與等效累計塑性功解析物理模型；構建SiC MOSFET FOPLP的多目標優化模型，以寄生電感、模塊熱阻與累計塑性功作為優化目標函數，以封裝結構尺寸參數作為優化變量，以制造工藝作為約束條件；基于多目標粒子群算法對多目標優化模型進行求解，得到目標空間的帕累托解集；基于應用場景，使用優劣解距離法對帕累托解集中的解進行排序與挑選，得到SiC MOSFET FOPLP不同封裝結構的最優幾何參數組合。與現有技術相比，本發明具有考慮了電學、熱學與力學特性的耦合關系，設計效率高等優點。

來源：金融界