天眼查知識產權信息顯示，芯聯集成電路制造股份有限公司申請一項名為“MEMS 器件及其制備方法“，公開號 CN202410419013.6，申請日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，本申請實施例涉及一種 MEMS 器件及其制備方法，包括：提供襯底，襯底包括背腔預設區；在襯底上形成第一犧牲層；形成貫穿第一犧牲層的開口，開口暴露出襯底的部分區域，部分區域位于背腔預設區外周；形成連接結構和振膜，連接結構填充于開口內并與襯底直接接觸，振膜位于第一犧牲層上并與連接結構直接接觸；去除部分襯底，以在背腔預設區形成背腔；以及，去除至少部分第一犧牲層，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向襯底的表面，且與背腔連通；其中，襯底的導電類型、連接結構的導電類型、以及振膜的導電類型一致，以使襯底與振膜能夠導通。由此，去除犧牲層過程中產生的自由電荷在進入振膜后，可以通過連接結構轉移至襯底中，避免大量自由電荷堆積在振膜中，減少電化學反應的發生，減少對振膜的損傷。

來源：金融界