江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片。 

資料顯示，通用半導體成立于2019年，致力于高端半導體產業裝備與材料的研發和制造。在融資方面，通用半導體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資，投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機構。在產品方面，通用半導體于2020年研發出國內首臺半導體激光隱形切割機；2022年成功推出國內首臺18納米及以下SDBG激光隱切設備（針對3D Memory)；2023年成功研發國內首臺8英寸全自動SiC晶錠激光剝離產線；2024年研制成功SDTT激光隱切設備（針對3D HBM）。值的一提的是，2023年12月，通用半導體自主研發的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產線已完成交付。通用半導體表示，隨著公司激光隱切設備產品覆蓋度持續提升，市場應用規模的不斷擴大，且公司持續保持高強度的研發投入，迭代升級各產品系列。 

來源：通用半導體、集邦化合物半導體