天眼查顯示，派恩杰半導體（杭州）有限公司近日取得一項名為“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”的專利，授權公告號為CN112951922B，授權公告日為2024年7月23日，申請日為2021年3月25日。

本發明提供了一種集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制備方法，由于用于ESD的PN結二極管是集成在MOSFET器件本身需要的柵極壓焊區下方，不需要額外的芯片面積，不會影響芯片的集成度。且柵極壓焊區的面積較大，使得PN結二極管的面積也可以較大，PN結二極管環繞在柵極壓焊區的下方，可以利用柵極壓焊區的面積，增大PN結二極管的面積提高ESD泄放能力；由于通過調節PN結邊緣的形貌和摻雜濃度就可以調節PN結二極管的擊穿電壓，因此通過在第一摻雜離子重注入區和第二摻雜離子注入區的邊緣設置多個尖峰角，就可以調節PN結二極管的擊穿電壓；且所述PN結二極管的形成是和形成MOSFET器件的工藝步驟同步進行，不額外增加光刻掩膜步驟，不會增加芯片制作成本。