唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast™氮化鎵功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs產品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強型高速表貼TOLL封裝產品，能為大功率、可靠性要求高的應用帶來高效、穩定的功率轉換。

納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業最佳的低導通電阻（20至55mΩ）相結合，并針對如AI數據中心電源、電動汽車充電和儲能以及太陽能解決方案等應用所需的最快開關速度、最高效率和更高功率密度特性進行了專項優化。 

納微GeneSiC碳化硅產品基于專有的“溝槽輔助平面柵”技術打造，可在運行溫度范圍內能提供了全球頂尖的效率性能，G3F MOSFETs具備高速、運行溫升低的性能，相比市場上其他廠商的碳化硅產品，可使器件的外殼溫度降低高達25°C并且壽命長3倍。 

納微最新發布的4.5kW高功率密度AI服務器電源參考設計，其采用了型號為G3F45MT60L（額定電壓為650V、40mΩ，TOLL封裝）的GeneSiC G3F FETs，用于交錯CCM TP PFC拓撲上。與LLC上使用型號為NV6515（額定電壓650V，35mΩ，TOLL封裝）的GaNSafe™氮化鎵功率芯片搭配，使這款電源以137W/inch³的功率密度和超過97%的峰值效率，成為全球功率密度最高的AI服務器電源。同樣，在400V的電動汽車電池系統中，TOLL封裝的G3F MOSFETs是車載充電機（OBC）、DC-DC轉換器以及6.6kW-22kW牽引電機的理想之選。 

相較于傳統的D2PAK-7L封裝，表貼TOLL封裝的結殼電阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面積也要小30%，厚度低50%并且整體尺寸少60%，有利于打造最高功率密度的解決方案，如納微的4.5kW高功率密度AI服務器電源。此外，由于其具備僅為2nH的最小封裝電感，可實現卓越的高速開關性能和最低的動態損耗。

 （來源：納微芯球 ）