天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，江蘇豪緯交通集團有限公司申請一項名為“一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法“，公開號 CN202410630653.1，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法，包括襯底準(zhǔn)備、前置工藝、外延工藝與后續(xù)工藝，所述前置工藝用于在襯底上沉積絕緣層，通過絕緣層之間形成微米孔洞陣列，所述外延工藝用于在形成的微米孔洞中外延生長形成微納結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用自下而上的選區(qū)外延工藝，避免了干法刻蝕工藝，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率。與此同時，二次外延技術(shù)可以進一步提高晶體質(zhì)量，進而提高芯片的電光轉(zhuǎn)換效率。用前置工藝在外延微納結(jié)構(gòu)前沉積二氧化硅絕緣層，制備具有微米孔洞陣列的二氧化硅層，充當(dāng)后續(xù)微納陣列器件之間的絕緣層，該絕緣層厚度均一、填充性好，可以有效避免漏電流通道的產(chǎn)生。