天眼查知識產權信息顯示，河北同光半導體股份有限公司取得一項名為“超高真空碳化硅原料合成爐系統“，授權公告號CN112516916B，申請日期為2020年12月。
專利摘要顯示，本發明公開一種超高真空碳化硅原料合成爐系統，涉及碳化硅合成技術領域，由其制備的高純碳化硅粉體原料能夠廣泛用于半導體碳化硅單晶體的生長及高純碳化硅陶瓷樣品的制備。本發明所述的超高真空碳化硅原料合成爐系統中，爐室為圓筒形立式雙層水冷結構，爐室上安裝爐蓋，爐蓋為雙層水冷結構，紅外測溫組件位于爐蓋頂端，爐蓋可由電動升降機實現升降并旋開；爐室通過閘板閥、泵抽彎管與分子泵連接，組成系統主抽管路，爐室通過角閥、波紋管與機械泵相連，組成系統旁抽管路；樣品支撐機構與爐室底盤固定，感應加熱組件、測量組件分別與爐室側面法蘭固定。
